醫(yī)用鉛門廠家講伴隨主射束射出的泄漏中子、X射線照射到其他物質(zhì)上產(chǎn)生的中子以及散射中子共同組成了機(jī)房內(nèi)的中子輻射場。

(1)、中子輻射的來源:能量大于8MV的加速器可以通過電中子反應(yīng)和光中子反應(yīng)產(chǎn)生中子。這兩種反應(yīng)可發(fā)生在多種結(jié)構(gòu)物質(zhì)上，例如，加速器機(jī)頭處的靶、均整器、準(zhǔn)直器以及限光筒材料等。由于它們可以伴隨主射束或者穿透機(jī)頭而射出到機(jī)房內(nèi)，所以把這些產(chǎn)生于加速器機(jī)頭結(jié)構(gòu)物質(zhì)上的中子稱作泄漏中子。另外，X射線照射到空氣、人體等其他物體上，當(dāng)能量超過受照射物質(zhì)的(R.n)反應(yīng)IM能時也可產(chǎn)生中子，常把這些中子作為散射中子。對于到達(dá)鉛防護(hù)門處的中子來源.Ialonde認(rèn)為，由加速器機(jī)頭處的泄漏中子直接穿透迷路墻而到達(dá)防護(hù)門處的中子劑量貢獻(xiàn)是非常小的，防護(hù)鉛門處的中子劑量主要是由散射中子和熱中子造成的。

(2)、加速器門輻射野面積與中子產(chǎn)額:MA等對1臺VAL AN CII NAC 2100C型加速器進(jìn)行了測量，測量結(jié)果表明:在其他條件不變的情況下，加速器機(jī)頭處中子產(chǎn)額與輻射野邊長成反比。NVGdey , Monde的研究結(jié)果也表明，不僅機(jī)頭處的中子產(chǎn)額與輻射野面積存在此種關(guān)系，而且防護(hù)門處的中子劑量率與輻射野面積也存在此種關(guān)系。造成這種現(xiàn)象的解釋是:隨著照射野增大，高能X射線與遮線器等作用面積減少，中子產(chǎn)額隨之減少。因此，當(dāng)加速器的遮線器完全閉合時，中子產(chǎn)額較大。

(3)、加速器X射線能量與中子劑量率:對1臺加速器在兩種能量狀態(tài)五8和14 MV)的機(jī)房內(nèi)中子輻射場進(jìn)行了測量，結(jié)果表明在各個測量點，14MV時的中子劑量率比8MV時約大2-3個數(shù)量級，Kase等以加速器靶點為中心，在x ,Y，Z軸3個方向上設(shè)置了7個測量點，加速器能量為10,15,18和20MV ,測量結(jié)果表明，隨加速器x射線能量增加，中子劑量率隨之增加。以上實驗均是在遮線器完全閉合狀態(tài)下測量的。汪芳林則在輻射野為40cm X40cm、能量為8和16MV的測試條件下，對1臺SL75-20型加速器的機(jī)房內(nèi)的中子輻射場進(jìn)行了測量。其測量數(shù)據(jù)同樣表明，中子劑量當(dāng)量率隨X射線能量增加而增加，8與16MV之間差異有統(tǒng)計學(xué)意義（p<0.01)。

(4)、加速器機(jī)架角度與鉛防護(hù)門處的中子劑量率:同防護(hù)門處的X射線劑量率一樣，防護(hù)門處的中子劑量率也隨機(jī)架角度不同而不同。Nhri ka wa等的測量結(jié)果表明，能量為8MV時，迷路外口處的較大中子劑量率是在機(jī)架角度為180度時，而能量為14 MV時，迷路外口處的較大中子劑量率則是在機(jī)架角度為270度時。而且，在同一標(biāo)稱能量下，機(jī)架角度不同，中子劑量率相差可接近兩倍。

(5)、防護(hù)門處的中子能量:加速器產(chǎn)生的中子能譜是連續(xù)的，較大中子能較大致等于x射線較高能量與（r.n）反應(yīng)閥能之差。不同的受照物質(zhì)，其(r.n )反應(yīng)閥能不同。因此，到達(dá)防護(hù)門處的中子能量與x射線能量、靶材料及機(jī)頭處的各種材料有關(guān)。另外，還與迷路類型等有關(guān)，迷路的轉(zhuǎn)折數(shù)目少，中子到達(dá)防護(hù)門處的散射次數(shù)少，其能量就高。為了屏蔽中子，迷路內(nèi)有時還要外加一層聚乙烯等中子吸收材料。這些材料過濾掉了低能中子，因此，也影響著到達(dá)防護(hù)門處的中子能量。

鉛門廠家對加速器機(jī)房內(nèi)及迷路內(nèi)的中子能譜進(jìn)行了測量，得出了它們與泄漏中子、迷路類型等的關(guān)系。La-viere測量了1臺24 MV加速器，其等中心處的中子能量約為0.28 MV，迷路內(nèi)口處的中子能量則為0.016-0.024MV。可見，影響防護(hù)門處中子能量大小的因素很多，但其能量一般是不高的，基本上都是熱中子。